直線性に優れたパルスドープ構造

• SEIのアドバンスドパルスドープGaAs MESFETは、その構造上本質的に直線性に優れ、低歪みのデバイスとなります。
  パルスドープ構造GaAsMESFETは、SEIが独自に開発した新しいFET構造で、結晶成長の技術を用いて、５つのGaAs層が形成され、その中にシリコンイオンが高濃度に導入された極めて薄い２つのGaAs層が含まれています。
  このような構造にすることにより、高周波特性に優れた電子の輸送特性を実現できるとともに、工業的に最も成熟したMESFETの生産技術を用いて、製造できることから、高い均一性、再現性を実現できます。
  また、最近では、AlGaAsキャップ層の導入による高耐圧化、イオン注入条件の最適化による歪み特性の改善、n'注入層を導入したLDD構造の採用等の新規開発を行い、常にデバイス自体の特性の向上を図っております。
  
  Structure of an Advanced Pulse-doped MESFET

低歪み・高利得特性

• 通常のFETは、ドレイン電流がゲート電圧に対し２乗の特性を示しますが、 パルスドープ構造GaAs MESFETは、優れた線形性すなわち、低歪み特性を有しています。したがって、2次歪みは他の構造のFETに比べ、圧倒的に優れており、3次以上の高次歪みも非常に小さい値となっております。 また、高いドレイン電流領域でも伝達コンダクタンス（gm）が低下せず、優れた平坦性を 示します。この様な特性は、パワーアンプへの応用に最適であり、ＳＥＩの全てのマイクロ波デバイスに、このパルスドープ構造GaAs MESFETが適用されています。
  
  Ids and gm vs Vg

高信頼性

• 品質保証は、工程内での中間検査はもちろん、各ロット毎にロット保証検査（電気特性、機械強度、寿命試験など）により保証致します。また、ロット保証検査とは別に、定期的に信頼性試験・工程内監査を実施し、品質レベルの監視を行います。

豊富なラインアップ

• Power FETだけでなく、自社FETを組合わせたPowerAmp Moduleも、多くの種類を用意しています。800MHz、1.5GHzPDC方式携帯電話、1.9GHzPHS基地局などの用途をはじめ、W-CDMA方式に対応した製品やＧＳＭ基地局などにも適用できる製品があります。 特に、ドライバー段用のパワーアンプモジュールの製品群は、電源電圧、飽和電力、３次歪特性など様々な要求に応えるため、数多くの品種を用意しています。
  
  Standard Power Amplifier Lineup

CDMA基地局に特効薬

• WCDMAシステムでは、帯域内利得偏差がきわめて重要です。ところがこの帯域利得偏差は適用するプリント基板に微妙に影響を受けやすい上、前後・後段アンプの周波数特性も含めて所望の仕様を満足しなければなりません。利得可変型パワーアンプはこのような問題を一気に解決し、回路全体の帯域内利得偏差特性をチューニングすることができるCDMA基地局の特効薬です。
  
  Example of Tuning Result in P0622101H

製品ラインアップ

Power GaAs MESFET       [Download Data Sheets]

Power Amplifer Modules for W-CDMA        [Download Data Sheets]

Power Amplifier Modules for PHS Base Station       [Download Data Sheets]

800MHz-band/1.5GHz-band Power Amplifier Modules       [Download Data Sheets]